Sklep falowniki

Tranzystor warstwowy p-n-p tworzy płytka germanu typu n, do której z obu stron wtapia się dwie kulki indu lub galu. Ind dyfunduje do wnętrza germanu i tworzy na nim warstwy typu p. Płytka n jest nazywana bazą, warstwa p — z lewej strony bazy — emiterem, a warstwa p — z prawej strony — kolektorem. Źródło prądu włączone w obwód baza--emiter polaryzuje to złącze w kierunku przewodzenia i wytwarza prąd o stosunkowo małym natężeniu. Prąd ten jest prądem dziur owym i wskutek ujemnej polaryzacji kolektora przenosi się do obwodu kolektora. Tranzystory warstwowe typu n-p-n mają bazę wykonaną z płytki germanu typu p. W tranzystorze takim emiter emituje elektrony do obszaru bazy. Symbole graficzne tranzystorów typu p-n-p oraz n-p-n różnią się tylko kierunkiem ustawienia strzałek kierunkowych w obwodzie emitera. Tranzystory warstwowe mają lepsze charakterystyki oraz odznaczają się większą jednolitością wyrobu aniżeli tranzystory ostrzowe. Z tego powodu obecnie prawie wyłącznie stosuje się tranzystory warstwowe.